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[皮肤科] IBM PCM存储芯片是什么?NAND闪存终结者

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发表于 2019-11-11 06:49 | 显示全部楼层 |阅读模式

蓝色巨人IBM与消费级产品越来越远,但IBM从来没有远离高科技行业,不论是7nm半导体工艺还是新一代AI智能或者别的尖端科学,IBM都是要肩负人类希望的(友语“I人希”)。在下一代存储芯片上,Intel美光的3D XPoint已经迈出了革命性一步,不过点满黑科技天赋的IBM日前拿出了同样具备极强竞争力的PCM存储芯片——他们首次实现PCM芯片每单元存储3位数据,你可以把它理解成NAND闪存从1bitcell的SLC闪存到3bitcell的TLC闪存的改变。  磁头损坏主要指移动硬盘损坏修复中磁头组件的某部分被损坏,造成部分或全部磁头无法正常读写的情况。


IBM这次研发突破是有关PCM存储芯片的,大家可以了解一点PCM存储的基础知识:PCM:(英语:Phase-change memory,英语:Ovonic Unified Memory,英语:Chalcogenide RAM,简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM),又译为相变位内存,是一种非易失性存储器装置。PRAM 使用含一种或多种硫族化物的玻璃(Chalcogenide glass)制成。硫族化物玻璃的特性是,经加热可以改变它的状态,成为晶体(Crystalline)或非晶体(Amorphous)。这些不同状态具有相应的电阻值。因此PRAM可以用来存储不同的数值。 它是可能取代快闪存储器的技术之一。也就是说PCM芯片是通过材料热变化来存储信息的,相比传统闪存或者内存芯片,PCM具备多个优点,比如写入次数可达1000万次,远高于NAND闪存(TLC闪存写入寿命不足1000,MLC多为3000-5000,SLC多为5000-10万),速度更快,是NAND闪存的50倍之多。不过PCM存储从1960年代就开始研发了,直到现在也没有商业化,因为它虽然理论上优点多多,但制造可用的大容量存储还面临很多难题,其中一个关键就是PCM芯片每单元只能存储1位数据,也就是1BPC(bit per cell),你可以把它理解成SLC闪存那样,也是每单元存储1bit数据。IBM这次的突破就在于他们首次制造出了3BPC芯片,换句话说这就相当于制造出了TLC类型的NAND闪存,有助于提高PCM存储容量,降低成本,这是PCM实用化必经之路。日前在巴黎举行的IEEE国际存储工作组会议上,IBM苏黎世研究中心的科学家公布了这次研究成果,他们在64K单元阵列上首次实现每单元3bit数据存储,而且在极高温度及100万次可靠性循环之后依然能保持数据。有兴趣的还可以看看IBM公布的这个视频(需要爬墙),里面采访了论文作者之一的Dr.Haris Pozidis,介绍了PCM的相关知识和进展。不过写完这篇新闻之后,搜索了一下以前的旧闻,发现2011年我们就报道过IBM在多位存储PCM上的进展了,当时也是说IBM成功研发出多位存储PCM芯片了,只是没公布具体的数据。这么算的话,PCM存储离商业化应用还真的是非常遥远....

目前在闪存、内存领域堪称革命化同时能量产的只有Intel、美光研发的3D XPoint闪存,它的性能、可靠性指标虽然没有PCM这么强大,但性能、可靠性也达到了NAND闪存的1000倍,以及10倍容量密度,而且在2016年就能上市,进度是PCM比不了的。

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