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[皮肤科] 抛弃机械硬盘:只有这样SSD才会停止涨价

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发表于 2019-11-11 06:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

机械硬盘由于本身的物理架构问题,导致其体积重、不抗震、读写慢、响应速度低等弊端,成为PC性能发展的一大瓶颈。相比较而言,NAND闪存的体积小、更抗震、数据读取速度快,数据存储也更为安全。不过,早期的闪存由于原材料较贵,单位容量比硬盘更贵。随着像三星等上游Flash厂商技术不断突破,如今,闪存的价格正在快速下降,同时其制程也在不断提高。不久的将来,闪存的价格将与普通硬盘处在同一级别,届时闪存将取代硬盘成为常规存储。  主控相当于ssd硬盘的大脑,影响SSD的各方面数据,不好的主控会比颗粒最先坏掉。


但是正在大家期盼SSD价格一路下滑时,它却触底反弹。据ChinaFlashMarket报价统计,自2016年5月下旬SSD涨价以来,120GB TLC SSD价格已从25美元上涨至37美元,涨幅达48%;240GBTLC SSD价格已从44美元上涨至66美元,涨幅高达50%。价格暴涨的SSD直接导致固态硬盘推进速度变缓,原本在2016年预估渗透率从40%-50%下调到35%,用户购买大容量SSD意愿也大幅降低。那么究竟是什么原因导致SSD价格上涨呢?原因有两方面。过渡到3D NAND技术后良率不高固态硬盘绝大部分成本来自于NAND Flash,为此上游NAND厂商就通过升级NAND Flash来降低成本。其中三星是最早成功量产3D NAND的厂商,随后Intel、美光、东芝等厂商也开始全力调拨2D NAND Flash产能转进3D NAND,但由于3D NAND生产良率不如预期,2D NAND供给量又因产能排挤缩小,NAND Flash市场出现货源不足问题,价格也因此明显上涨。何为3D NAND Flash?从技术结构上讲,3D NAND通过立体堆叠的方式使单位面积承载更大的存储容量,2D NAND好比是平房,3D NAND则是高楼,建筑面积成倍提升,理论上可以无限堆叠。目前2D NAND工艺逼近物理极限,单位面积存储容量难以继续提升。3D NAND解决了由于晶圆物理极限而无法进一步扩大单die可用容量的限制,进一步推动了存储颗粒总体容量的飙升。移动设备对Flash需求增加随着移动互联的发展,用户对智能手机等移动设备需求与日俱增。每年的Q3季度都是智能机销售旺季,加上2016年的iPhone新品最低容量从32GB起跳,最高提升至256GB,同时带动了其他智能机品牌的跟进,大容量智能手机刮起了一阵旋风,加剧了NANDFlash供应端的压力。综上所述,NAND Flash市场缺货主要是因为上游厂商向3D技术转换导致2D NAND Flash产出减少,加上智能移动设备需求增长,更是雪上加霜。不过近一年上游厂商产能调整过渡期,在2017年下半年有望出现缓和迹象。一方面三星顺利过渡到64层3D NAND技术,东芝也开始在下半年大规模量产3D NAND Flash,届时市场供货紧缺的市况将有望得到缓解。

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